Galaxy Note 7的意外离场,让三星懊恼不已,除了要吸取失败教训外,还有就是加大产品的安全性,不能为了创新而创新,所以在这样的大环境下,他们的Galaxy S8将会在明年4月份发布。
现在有消息称,三星的Galaxy S8有可能会采用8GB内存和UFS 2.1闪存芯片,而今年的10月份,他们就曾发布公告称,基于10nm工艺的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
需要注意的是,昨天产业链给出的消息称,三星、台积电目前都面临一个问题,那就是10nm工艺良品率太低,而面对Galaxy S8这样的产能,如果良品率不改善,恐怕8GB内存要等到Note 8上才能看到了。
另外,据说Galaxy S8将会推出两个版本(双曲面屏),一个配备5寸屏幕,其二则放大到6寸左右,并且有个单独的名字叫Galaxy S8 Plus,两者的Home键都要被干掉,以为提供屏占比,这样的效果就是6寸的S8 Plus会比5.7寸的Note 7还要小。
希望这次的Galaxy S8会让人惊艳。
|